看MOS管datasheet上的参数的时候，特别优越，最大电流都是几十A，最大电压几百V，
但是实际用来，其实比数据手册上的标称值差远了。很困惑，百度上这个答案很好，贴出来分享下：
呵呵，首先要肯定你看得确实比较仔细。
我来回答一下吧：
这份文件是生产商制作的，当然里面的数据也是真实的，不过问题是，他们的实验条件是保密的。
从我和我同事的研究感觉，这个参数是在极其优越的条件下完成的，测出的60A这种也是最乐观条件下的参数
（至于为什么这么做，就更简单了，你肯定听说过广告吧，任何一个广告总是宣传自己最有优势的方面，至于
其他数据就不可透露了），估计要在恒温，强力散热的条件下实现。
现实中，这个条件一般人员根本不可能做到，这也就意味着这些参数我们只能参考，有无经验的工程师差别在于
分析这些参数的可信度，也就是在现有的条件下，大概能做到标示参数的几分之一或者十几分之一，二十几分之一。
一般来说，以常规散热条件（足够大的散热片+必要的风扇），能做到1/10就很不错了。
追问 我有一个同步整流的设计要在50A的电流下持续工作，即使有散热片+风扇，因为有热阻的存在，我担心在大
电流下，因为管脚发热，且热量不会与散热片同步，管子脚温度在短时间内会比MOS本体高很多，导致管脚与内部接触
部分的电阻变大，如此恶性循环下去最终会导致MOS失效（以前试过20A，温室带散热片，本体40度，管脚70读（长脚未剪），
50A没横流设备测试），你有这方面的经验可以交流一下吗？
追答 我没有这方面的经验，刚才打电话给我同时，这种大电流的情况下，你可以采用多个MOS管并联均流输出的方法，
所有的MOS管尽量安装在同一块散热上，然后加风扇。MOS管可以并联，而且效果很不错。他们曾经做过5个管子并联，
做开关电源，达到200多A的水平。
我使用过的仙童FDS6680 N沟道MOS管，标称11.5A电流，但实际上4A的电流就烫的要死，原来所有MOS管标称的电流值都是在绝对优秀的散热条件下才能实现的。
后来再仔细看数据手册：找到了FDS8660数据手册上的一个参数：Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current 2.1A
也就是说，最大持续电流是2.1A，很多资料上都说MOS管并联增大效果很好，用两个并联最大电流达到4.2A，这样用起来就不烫了，效果很好。
选用MOS管的时候，导通电阻RDSON，很重要，他决定MOS管完全导通通过一定电流时的发热量，尽量越小越好，通常耐压越高的MOS管，RDSON都比较大。
大部分MOS管的导通电压都是4V左右，但是4V只是开始导通的G极电压，也就是导电沟道刚刚打开的电压，
如果要使MOS管完全导通一般要达到12V左右;但是也有一些MOS管，Logic level，逻辑电平驱动基极就可以完全导通，
需要这样MOS管的朋友，可以在ALLdatasheet网站上搜索关键字Logic level mosfet来选型。